光纖探測(cè)器主要是為了滿(mǎn)足用戶(hù)的特殊需求，通過(guò)感應(yīng)法或卡鉗法發(fā)射放音，解決了困擾用戶(hù)找不到光纜源頭而無(wú)法放音的難題，實(shí)際探測(cè)效果良好。同時(shí)，該儀表還具有光纜定位功能，適用于人井、隧道、管道等環(huán)境下光纜定位。

　　光電探測(cè)器是將光輻射轉(zhuǎn)化為電量的一種元器件，被廣泛的應(yīng)用于各行業(yè)當(dāng)中。市場(chǎng)上的光電探測(cè)器種類(lèi)繁多，如何才能夠高效、簡(jiǎn)易的選擇一款合適光電探測(cè)器？我們可以將市場(chǎng)上的光電探測(cè)器做個(gè)分類(lèi)，一般可以按照工作波段以及探測(cè)器工作原理區(qū)分，這樣我們就可以按照我們的需求去選擇對(duì)應(yīng)的探測(cè)器了。

　　我們?nèi)绻凑詹煌ǘ蝸?lái)區(qū)分它們，可分為紫外光探測(cè)器、可見(jiàn)光探測(cè)器以及紅外光探測(cè)器，這些探測(cè)器的材料可分為碳化硅探測(cè)器、硅探測(cè)器、鍺探測(cè)器、銦鎵砷探測(cè)器、硒化鉛探測(cè)器、碲鎘汞探測(cè)器等。

　　a.碳化硅探測(cè)器(SiC)

　　光譜響應(yīng)：0.2-0.4um；可應(yīng)用于火焰探測(cè)和控制、紫外測(cè)量、控制殺菌燈光和醫(yī)療燈光控制等領(lǐng)域。

　　b.硅探測(cè)器(Si)

　　光譜響應(yīng)：0.3-1.0um；可應(yīng)用于工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備中。

　　c.鍺探測(cè)器(Ge)

　　光譜響應(yīng)：0.8-1.8um；可應(yīng)用于光功率計(jì)(OPM)、LED/LD老化及特性診斷、光譜學(xué)以及眼睛安全激光探測(cè)傳感器等領(lǐng)域。

　　d.銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)

　　光譜響應(yīng)：0.9-2.7um；可應(yīng)用于氣體分析、近紅外FTIR 、近紅外熒光光譜、血液分析、光通訊以及光功率測(cè)量等領(lǐng)域。

　　e.硫化鉛探測(cè)器(PbS)光導(dǎo)

　　光譜響應(yīng)：1.0-3.0um；可應(yīng)用于氣體檢測(cè)、光學(xué)測(cè)溫、光度計(jì)、濕度分析儀以及醫(yī)療氣體分析等領(lǐng)域。

　　f.銻化銦探測(cè)器(InSb)

　　光譜響應(yīng)：1-5.5um；可用于熱成像、熱追蹤制導(dǎo)、輻射計(jì)、光譜以及FTIR等領(lǐng)域。

　　g.碲鎘汞探測(cè)器(HgCdTe)

　　光譜響應(yīng)：0.5-5.5um/2-26um；可用于熱成像，二氧化碳激光探測(cè)，F(xiàn)TIR，光譜探測(cè)等領(lǐng)域。

　　如果按照工作原理來(lái)分可分為光導(dǎo)型探測(cè)器和光伏型探測(cè)器。

　　光電導(dǎo)探測(cè)器是利用半導(dǎo)體光電效應(yīng)制成的器件，簡(jiǎn)稱(chēng)PC探測(cè)器，常見(jiàn)的光電導(dǎo)探測(cè)器為光敏電阻。通過(guò)施加恒定的偏置電壓，將電阻的變化轉(zhuǎn)化為電流的變化。這類(lèi)元器件具有近似線性的伏安特性。

　　常用的紫外光電導(dǎo)探測(cè)器為硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)，常用的可見(jiàn)光光電導(dǎo)探測(cè)器有硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)，常用的紅外光電導(dǎo)探測(cè)器有硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲鎘汞(Hg1-xCdxTe)等。

　　光伏型探測(cè)器是利用光伏效應(yīng)制作的器件，簡(jiǎn)稱(chēng)PV探測(cè)器，也稱(chēng)為結(jié)型光電器件。其工作原理是PN結(jié)受到光照時(shí)，在PN結(jié)的兩端產(chǎn)生光生電勢(shì)差，從而產(chǎn)生光伏效應(yīng)。

　　常用的光伏探測(cè)器有：硅光電池、硅光電二極管、硅光電三極管、PIN光電二極管、雪崩光電二極管、紫外光電二極管、碲鎘汞、碲錫鉛紅外光電二極管等。